性欧美乱熟妇xxxx白浆,第一次交换完美邻居,我和小表妺在车上的乱h,女子初尝黑人巨嗷嗷叫

技術(shù)文章您的位置:網(wǎng)站首頁 >技術(shù)文章 >外延層的雜質(zhì)分布

外延層的雜質(zhì)分布

更新時間:2020-05-13   點擊次數(shù):2176次

外延層必須是經(jīng)過摻雜的單晶層。從器件制造的角度考慮,總希望外延層具有均勻的一定量的單一雜質(zhì)分布,而且要求外延層與襯底界面處雜質(zhì)分布濃度陡峭一些。

SiCl4氫還原法外延由于在高達1200℃高溫下進行,襯底與外延層中雜質(zhì)相互擴散,從而使襯底與外延層形成雜質(zhì)濃度緩變分布,這就是外延中的擴散效應(yīng)。這種效應(yīng)是可逆的,生成的HCl對硅有腐蝕作用。在襯底腐蝕的同時其中雜質(zhì)就釋放出來,加之在高溫外延過程中,高摻雜襯底中的雜質(zhì)也會揮發(fā),此外整個外延層系統(tǒng)中也存在雜質(zhì)的沾污源,這三種因素造成的自摻雜效應(yīng)嚴(yán)重影響了外延的雜質(zhì)分布,外延電阻率做高也不容易。

SiH4熱分解法反應(yīng)溫度低,其化學(xué)反應(yīng)激活能是1.6eV,比SiCl4小0.3eV,可以在1100℃時獲得與1200℃下SiCl4反應(yīng)時相當(dāng)?shù)纳L速率,同時這種方法不產(chǎn)生HCl,無反應(yīng)腐蝕問題,因而擴散效應(yīng)和自摻雜現(xiàn)象不如SiCl4嚴(yán)重。如果采用“背封”技術(shù)和“二步法”外延,用SiH4熱分解法就能獲得較為理想的突變結(jié)和濃度分布。

色婷婷激情av精品影院| 三个人c了我半小时| 国产69精品久久久久777| 性视频播放免费视频| 强行无套内谢大学生初次| 国产偷v国产偷v亚洲高清学生| 欧美bbbwbbwbbwbbw| 和搜子居同的日子hd高清看| 強姦亂倫中文字幕在線觀看| 日产乱码一二三区别免费| 男男浴室吸乳play| 羞答答的玫瑰静悄悄的开歌词| 京东app下载安装官网免费下载| 富婆一对一刺激交友| 人妻激情偷乱一区二区三区| 欧美freese黑又粗又大| 男人狂桶女人出白浆免费视频| 中文字幕一区二区三区日韩精品| 日韩精品毛片无码一区到三区| 久草视频在线观看| 500杂烩大乱炖目录| 欧美精品久久久久a片| 亚洲一区二区三区| 免费a级毛片在线播放不收费| 精品一区二区三区免费视频| 精品无码国产自产拍在线观看蜜| 精品免费囯产一区二区三区四区| 女邻居的大乳中文字幕bd| gogo色少妇人体| 成人综合伊人五月婷久久| 小雪又胀又麻又酸又痒| 国产女人的高潮国语对白入口| 午夜三级| 适合女士自慰时看的黄文| 中文字幕亚洲无线码在线一区| 中文乱码字慕人妻熟女人妻| 欧美学生小嫩嫩xb| 暴虐sm灌浣肠调教| 免费真人视频网站| 老师好大好爽我要喷水了视频| 小13箩利洗澡无码视频网站免费|